北京GBJ2010
北京GBJ2010詳細信息:
封裝:GBJ(插件橋堆) | 正向電流 (Io):20.0A |
反向電壓(VRRM):1000V | 正向電壓 (VF):1.1V |
浪涌電流(IFSM):240A | 漏電流 (IR):10uA |
工作溫度:-55℃~150℃ | 芯片結構:臺面玻璃鈍化 |
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